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Si7655DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
T J = 150 ° C
0.020
0.016
I D = 20 A
10
0.012
1
T J = 25 ° C
0.008
0.004
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.1
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2 4 6 8
10
0.9
0.8
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
80
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.7
60
0.6
0.5
0.4
0.3
I D = 250 μA
40
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1000
Limited by R DS(on) *
100
100 us
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
10 s
0.1
T A = 25 ° C
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 63617
S12-2393-Rev. B, 15-Oct-12
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